38億買入+25億投資，這家公司大手筆進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體

以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對(duì)此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對(duì)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進(jìn)展。

“蛇吞象”式并購(gòu)，中瓷電子擬38億買入標(biāo)的

3月6日晚間，中瓷電子發(fā)布公告稱，公司于2023年3月3日收到深交所關(guān)于恢復(fù)審核公司本次重大資產(chǎn)重組的通知。此前，該事項(xiàng)被中止的原因是中瓷電子重大資產(chǎn)重組申請(qǐng)文件中記載的評(píng)估資料已過(guò)有效期。

中瓷電子還發(fā)布了《發(fā)行股份購(gòu)買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購(gòu)買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權(quán)。

三大交易標(biāo)的基本情況如下：

據(jù)悉，中瓷電子成立于2009年，2021年在深交所上市。目前，中瓷電子的主營(yíng)業(yè)務(wù)為電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

而一旦三大交易標(biāo)的成功注入中瓷電子，中瓷電子將新增氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用業(yè)務(wù)，業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)將發(fā)生較大改變。

值得注意的是，根據(jù)中瓷電子發(fā)布的公告，中瓷電子在2022年三季度末的資產(chǎn)總額為188,425.22萬(wàn)元、負(fù)債總額為65,459.11萬(wàn)元，也即凈資產(chǎn)為122,966.11萬(wàn)元。

而本次交易價(jià)格為383,098.68萬(wàn)元，是中瓷電子凈資產(chǎn)的3倍有余。中瓷電子以“蛇吞象”的態(tài)勢(shì)，彰顯進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體的強(qiáng)烈愿望。

募資25億，加碼第三代半導(dǎo)體

中瓷電子還同時(shí)宣布擬向不超過(guò)35名特定對(duì)象發(fā)行股份，募集配套資金總額不超過(guò)25億，投向以下項(xiàng)目：

其中，“氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”主要建設(shè)以封裝測(cè)試環(huán)節(jié)為主的氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線，項(xiàng)目涉及的具體產(chǎn)品和產(chǎn)能情況如下：

“通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”的研發(fā)課題包括：5G通信大功率基站用新一代高效率氮化鎵射頻芯片與器件技術(shù)開發(fā)、5G通信MIMO基站/Qcell基站用高集成度GaN塑封功放技術(shù)開發(fā)、射頻微波功率器件可靠性技術(shù)、面向6G、星鏈通信用功率器件技術(shù)研究、無(wú)線通信終端用GaN功率器件技術(shù)研究、GaN射頻能量芯片與器件技術(shù)研究。

“第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目”將在國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾現(xiàn)有碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)線基礎(chǔ)上，搭建碳化硅功率模塊封測(cè)線，建設(shè)滿足車規(guī)級(jí)、風(fēng)力發(fā)電、高壓電網(wǎng)等應(yīng)用的SiC功率模塊產(chǎn)品生產(chǎn)能力，并不斷提高SiC功率模塊生產(chǎn)效率，提升產(chǎn)品品質(zhì)。項(xiàng)目產(chǎn)品涵蓋SiC功率模塊R1、SiC功率模塊R2、SiC功率模塊R3和SiC功率模塊R4產(chǎn)品。

“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”擬圍繞碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，制定了3,300V SiC MOSFET芯片窄線條溝槽刻蝕技術(shù)研發(fā)、3,300V SiC MOSFET芯片柵極氧化技術(shù)研發(fā)、3,300V SiC MOSFET芯片晶圓減薄技術(shù)研發(fā)、3,300V SiC高壓功率模塊封裝技術(shù)研發(fā)四個(gè)研發(fā)課題，滿足3,300V SiC高壓功率模塊對(duì)柵極氧化技術(shù)、刻蝕技術(shù)、減薄技術(shù)和封裝技術(shù)等方面的要求，最終實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)的技術(shù)目標(biāo)。

可以看到，若發(fā)行股份購(gòu)買資產(chǎn)及募集配套資金均得以順利完成，中瓷電子將實(shí)現(xiàn)GaN通信射頻芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試和銷售的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，并具備碳化硅功率模塊的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售能力，第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)有望在未來(lái)成為公司的長(zhǎng)期增長(zhǎng)點(diǎn)。

第三代半導(dǎo)體成收購(gòu)的熱門賽道

事實(shí)上，除中瓷電子外，近來(lái)還有許多企業(yè)選擇以收購(gòu)的方式，布局或擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

2023年3月2日，英飛凌和GaN Systems共同宣布，英飛凌擬以現(xiàn)金8.3億美金（約合人民幣57.27億元）收購(gòu)GaN Systems，雙方已就此達(dá)成最終協(xié)議。在此之前，英飛凌的業(yè)務(wù)重心以SiC為主；收購(gòu)GaN Systems后，英飛凌在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的業(yè)務(wù)版圖變得更加全面；

2023年2月，韓媒報(bào)道，韓國(guó)LED廠商Lumens已成為氮化鎵材料商Soft-Epi的最大股東。據(jù)悉，Soft-Epi在2022年5月成功開發(fā)了紅色GaN外延片，同年6月又宣布Micro LED用紅色GaN外延片已量產(chǎn)出貨；

2023年1月，美國(guó)設(shè)備廠宣布收購(gòu)CVD化學(xué)氣相沉積外延設(shè)備系統(tǒng)廠Epiluvac AB，加速切入SiC外延設(shè)備領(lǐng)域，瞄準(zhǔn)高速成長(zhǎng)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)的發(fā)展機(jī)遇；

2022年11月29日，國(guó)星光電宣布正式完成對(duì)風(fēng)華芯電的股權(quán)收購(gòu)，國(guó)星光電也借此順利實(shí)現(xiàn)從硅基封測(cè)到第三代半導(dǎo)體封測(cè)全覆蓋、實(shí)現(xiàn)從LED封測(cè)向半導(dǎo)體封測(cè)的跨越；

2022年10月，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASM宣布已完成對(duì)LPE的收購(gòu)，而LPE是硅基和碳化硅基半導(dǎo)體外延爐設(shè)備廠商；

2022年8月，納微半導(dǎo)體正式宣布收購(gòu)GeneSiC。據(jù)悉，GeneSiC擁有深厚的碳化硅功率器件設(shè)計(jì)和工藝方面的專業(yè)知識(shí)，順利合并后納微半導(dǎo)體將在下一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域創(chuàng)建了一個(gè)全面的、行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)組合。

對(duì)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)標(biāo)的的收購(gòu)案例數(shù)不勝數(shù)，這主要是得益于SiC、GaN所擁有的廣闊的未來(lái)。TrendForce集邦咨詢表示，SiC、GaN在800V汽車電驅(qū)系統(tǒng)、高壓快充樁、消費(fèi)電子適配器、數(shù)據(jù)中心及通訊基站電源等領(lǐng)域的滲透率正快速提升。

市場(chǎng)容量方面，TrendForce集邦咨詢研究推估，第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)值將在2025年成長(zhǎng)至47.1億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)48%。