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中國(guó)EDA市場(chǎng)情況
根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計(jì)，2022年全球EDA/IP/設(shè)計(jì)服務(wù)市場(chǎng)達(dá)150億美元，其中美國(guó)占有48%的市場(chǎng)份額，中國(guó)內(nèi)地占有16%的市場(chǎng)份額（約160億元）。
全球前三或者說(shuō)全球前五都是來(lái)自美國(guó)的公司，其市場(chǎng)份額高達(dá)90%以上。
中國(guó)內(nèi)地160億元中，全球前三大EDA公司Synopsys、Cadence、Siemens EDA共計(jì)110+億元。
中國(guó)內(nèi)地EDA整體情況
根據(jù)芯思想研究院的調(diào)研數(shù)據(jù)，2022年中國(guó)內(nèi)地EDA公司全年整體營(yíng)收將超過(guò)20億元；其中營(yíng)收規(guī)模超過(guò)2億元的有4家，4家公司的總體營(yíng)收有望超過(guò)16億元。2022年中國(guó)內(nèi)地EDA公司全年?duì)I收占有全球市場(chǎng)的2%，占有中國(guó)內(nèi)場(chǎng)市場(chǎng)的12.5%。
同時(shí)根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計(jì)，2022年中國(guó)內(nèi)地EDA企業(yè)實(shí)際保有數(shù)量較2021年減少2家。2022年的并購(gòu)整合事件對(duì)EDA企業(yè)實(shí)際保有量有影響的包括：一是2022年9月，芯華章收購(gòu)瞬曜電子；二是2022年10月18日華大九天收購(gòu)芯達(dá)科技；三是2022年12月，日觀芯設(shè)收購(gòu)芯云微；四是2022年12月26日，思爾芯收購(gòu)國(guó)微晶銳。
2022年中國(guó)內(nèi)地EDA賽道繼續(xù)爆發(fā)，華大九天和廣立微在一周內(nèi)先后在深圳創(chuàng)業(yè)板上市，中國(guó)內(nèi)地EDA領(lǐng)域上市公司總數(shù)達(dá)到3家；同時(shí)2022年有24家公司完成28次融資，融資金額超過(guò)80億元，參與融資企業(yè)數(shù)量相較2021年減少9家，融資次數(shù)相較2021年的43次減少了15次。
生態(tài)圈合作伙伴
中國(guó)內(nèi)地EDA公司除了獲得本土半導(dǎo)體公司的認(rèn)可，近年來(lái)也得到了很多國(guó)際大型半導(dǎo)體公司的認(rèn)可。
從臺(tái)積電公布的EDA合作聯(lián)盟名單可知，華大九天和概倫電子多年來(lái)一直是其合作伙伴。
三星晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)SAFE EDA合作伙伴包括華大九天、概倫電子、鴻芯微納、芯和半導(dǎo)體、行芯科技、廣立微、阿卡斯等七家公司。
國(guó)際EDA大賽
2022年中國(guó)內(nèi)地在全球多項(xiàng)EDA大賽中獲得第一名的佳績(jī)，充分說(shuō)明中國(guó)內(nèi)地高校在EDA領(lǐng)域的研發(fā)有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。
Contest@ISPD 2022中，西安電子科技大學(xué)和鴻芯微納聯(lián)隊(duì)經(jīng)過(guò)兩個(gè)月時(shí)間的算法設(shè)計(jì)以及優(yōu)化方法開(kāi)發(fā)，針對(duì)12個(gè)測(cè)試版圖例子實(shí)現(xiàn)潛在安全威脅的完全清零，同時(shí)將初始設(shè)計(jì)面積、功耗、速度等綜合設(shè)計(jì)性能提升近一倍，在12個(gè)測(cè)例點(diǎn)中取得9個(gè)第一的好成績(jī)，以綜合成績(jī)第一問(wèn)鼎此次ISPD競(jìng)賽第一名。這是中國(guó)內(nèi)地高校首次在該賽事中取得第一名。（信息來(lái)自西電微電子學(xué)院官網(wǎng)）
CAD Contest@ICCAD 2022賽題B是3D Placement with D2D Vertical Connections，由新思科技出題。Die-to-Die（D2D）技術(shù)是當(dāng)前被使用得最廣泛的Chiplet技術(shù)之一，是未來(lái)突破3D 芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)，其可以帶來(lái)更高的良率、更好的時(shí)序、更低的成本等。而布局是物理設(shè)計(jì)中極其重要的一環(huán)，單元位置擺放的好壞在很大程度上直接影響芯片的PPA（Performance、Power、Area）。賽題要求參賽隊(duì)伍在考慮上下層不同工藝、層利用率、混合鍵合端子數(shù)量和間距約束等諸多復(fù)雜約束的基礎(chǔ)上，將網(wǎng)表劃分成兩部分，并確定每個(gè)單元在所屬層中的具體位置，使得走線的總長(zhǎng)度最短。解決該問(wèn)題對(duì)提升3D芯片設(shè)計(jì)質(zhì)量有關(guān)鍵的提升。中國(guó)內(nèi)地隊(duì)伍包攬前三名，鵬城實(shí)驗(yàn)室iEDA 3Dplacer隊(duì)（指導(dǎo)老師：李興權(quán)、黃志鵬；團(tuán)隊(duì)成員：陳仕健，趙雪巖，邱奕杭，李江考）、東南大學(xué)SEU Placer隊(duì)（指導(dǎo)老師：朱自然、楊軍；團(tuán)隊(duì)成員：梅揚(yáng)杰、申福恒、施躍劍、劉鴻）、北京大學(xué)和香港中文大學(xué)聯(lián)隊(duì)CUPID（指導(dǎo)老師：林亦波、余備；團(tuán)隊(duì)成員：Peiyu Liao, Yuxuan Zhao, Dawei Guo, Shuo Yin尹碩）包攬前三。（感謝鵬城實(shí)驗(yàn)室的李興權(quán)老師提供賽題解釋）
CAD Contest@ICCAD 2022賽題C是Microarchitecture Design Space Exploration，由達(dá)摩院出題。賽題是針對(duì)BOOM這個(gè)RISC-V進(jìn)行微架構(gòu)設(shè)計(jì)空間探索，目標(biāo)是在執(zhí)行盡可能少的VLSI flow次數(shù)下，找到更多的性能/功耗/面積更優(yōu)化的點(diǎn)。參賽隊(duì)伍在賽題方提供的框架下，主要是通過(guò)優(yōu)化算法尋找新的設(shè)計(jì)點(diǎn)通過(guò)VLSI flow來(lái)評(píng)估性能/功耗/面積，如此迭代下去，直到迭代到達(dá)上限或算法收斂。復(fù)旦大學(xué)和諾亞方舟聯(lián)隊(duì)EDA沖沖沖隊(duì)（指導(dǎo)老師：楊帆；團(tuán)隊(duì)成員：沈金翼，吳崢，易曉玲，路家林, 呂文龍）獲第一名。（感謝復(fù)旦大學(xué)的楊帆老師提供賽題解釋）
