作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布推出全新6400 MT/s DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動器(RCD),并向各大DDR5內(nèi)存模塊(RDIMM)制造商提供樣品。相比第一代 4800 MT/s解決方案,Rambus 第三代6400 MT/s DDR5 RCD的數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬提高了33%,使數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的主內(nèi)存性能達(dá)到了一個(gè)新的水平。該產(chǎn)品的延遲和功耗均達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平,其經(jīng)過優(yōu)化的時(shí)序參數(shù)將提高RDIMM的裕量。
Rambus Gen3 6400 MT/s DDR5 RCD
Rambus Gen3 6400 MT/s DDR5 RCD眼圖
Rambus首席運(yùn)營官范賢志表示:“數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載對內(nèi)存帶寬和容量的需求永遠(yuǎn)在增加,我們的使命就是提高服務(wù)器內(nèi)存解決方案的性能,滿足每一代新服務(wù)器平臺的內(nèi)存需求。我們在業(yè)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了5600 MT/s的性能,現(xiàn)在我們再度突破,將第三代DDR5 RCD的性能提升到6400 MT/s,為新一代RDIMM服務(wù)器主內(nèi)存保駕護(hù)航。”
IDC內(nèi)存半導(dǎo)體部門副總裁Soo-Kyoum Kim表示:“DDR5大幅提升了計(jì)算系統(tǒng)的性能。隨著數(shù)據(jù)中心應(yīng)用更加頻繁地要求越來越高的內(nèi)存帶寬,DDR5生態(tài)系統(tǒng)將成為提升下一代數(shù)據(jù)中心性能提升這一基本需求的關(guān)鍵。”
Rambus DDR5內(nèi)存接口芯片包含RCD、串行檢測(SPD)集線器和溫度傳感器,對于提升領(lǐng)先服務(wù)器的性能水平十分重要。憑借DDR5內(nèi)存,RDIMM更智能,同時(shí)將數(shù)據(jù)傳輸速度提升了一倍以上,容量達(dá)到DDR4 RDIMMs的四倍,內(nèi)存和電源效率也有所提高。憑借在高性能內(nèi)存領(lǐng)域積累30多年的經(jīng)驗(yàn),Rambus以其信號完整性(SI)/電源完整性(PI)方面的專業(yè)技術(shù)著稱。這種專長大大有利于DDR5內(nèi)存接口芯片確保從主機(jī)內(nèi)存控制器發(fā)送到RDIMM的命令/地址和時(shí)鐘信號具有出色的信號完整性。