本文仍然繼續(xù)上期文章的話題,將 RTQ6363 的應(yīng)用說明翻譯給你做參考,需要復(fù)習(xí)或了解前面內(nèi)容的讀者可點擊下述鏈接進行回顧。
使能端的電路結(jié)構(gòu)和 UVLO 的作用機制
此圖摘錄自 RTQ6363 的內(nèi)部框圖,其中的核心是 Shutdown Logic,如果要把這個詞翻譯為中文,我會說“關(guān)機控制電路”。關(guān)機控制電路受三個信號的控制,它們分別來自使能比較器 Enable Comparator、過熱檢測電路 Thermal Shutdown 和欠壓鎖定保護電路 UVLO,關(guān)機控制電路在收到它們中的任何一個發(fā)出的不正常信號時都會將整個 IC 的工作停下來以確保安全。
使能信號 EN 端內(nèi)部包含有兩個電流源 IEN(= 1.2μA) 和 IEN_Hys(= 3.4μA),它們的供電顯然是來自于電源輸入端 VIN。當(dāng) EN 端處于浮空狀態(tài)時,來自 IEN 的電流就可使 EN 端處于高電壓的狀態(tài),也就是說保持 EN 端懸空即可使 RTQ6363 在 VIN 的控制下自動進入運行狀態(tài)。
如果 EN 端的電壓如上圖所示那樣由外部電路如電阻分壓器供應(yīng),當(dāng) EN 端電壓高于 Enable Comparator 反相輸入端的電壓 Enable Threshold( VTH_EN = 1.2V ) 以后,Enable Comparator 輸出端便成為高電平使 IEN_Hys 下端的開關(guān)接通,IC 內(nèi)部流入使能端的電流便從 IEN= 1.2μA 增加為 IEN+ IEN_Hys = 1.2μA + 3.4μA = 4.6μA,這些電流都只能向 EN 端子外部流動經(jīng)電阻 REN2 入地,這個過程便會使 EN 端的電壓發(fā)生一個跳變,其表現(xiàn)如下圖中的綠色線所示:
同樣地,在 EN 端電壓下降的過程中,流出 EN 端的電流也會從 4.6μA 變回到 1.2μA,促使這種變化發(fā)生的原因是 EN 端電壓下降到閾值 VTH_EN = 1.2V,這也會造成 EN 端電壓的跳變,其表現(xiàn)如下圖中的綠線所示:
這樣的設(shè)計可避免在 EN 電壓上升、下降過程中出現(xiàn)使能狀態(tài)的來回跳變問題,屬于滯回式設(shè)計,這是規(guī)格書的英文描述中會出現(xiàn)了Hysteresis 這個詞的原因。
UVLO 是 Under Voltage Lockout 的縮寫形式,意為欠壓鎖定,是一種保護功能。上電過程中,當(dāng)電源輸入端 VIN 的電壓低于 UVLO 閾值 VUVLOH= 4.3V 時,關(guān)機控制電路使 IC 一直處于關(guān)機狀態(tài),直到 VIN 電壓超過這個閾值以后才容許 IC 進入工作狀態(tài)。在 VIN 電壓下降過程中,判斷是否需要關(guān)機的 UVLO 閾值是 VUVLOL= 3.9V。上升、下降過程中造成 UVLO 輸出發(fā)生變化的閾值電壓不同,同樣可以避免上電和斷電過程中的工作狀態(tài)的不穩(wěn)定,也屬于滯回式設(shè)計。
過熱關(guān)機的概念應(yīng)該很容易理解,RTQ6363 容許的內(nèi)核最高溫度是 175℃,超過此溫度便會發(fā)生過熱關(guān)機保護。一旦發(fā)生過熱關(guān)機保護,內(nèi)核溫度必須回落 15℃ 以后才會重啟上電過程。
很顯然,為了確保安全,使能控制、過熱關(guān)機和 UVLO 對于關(guān)機控制電路來說都是一票否決制,只要它們中有一個提出來要關(guān)機,實際的關(guān)機過程就會發(fā)生,其作用很像是聯(lián)合國安理會的否決權(quán),一票即可定乾坤。
將 EN 端用于啟動電壓和 UVLO 的閾值調(diào)節(jié)
利用上一節(jié)介紹的 EN? 端和 UVLO 的特性,我們可以通過調(diào)節(jié)將 VIN 分壓到 EN 端的電壓比來選擇讓 RTQ6363 進入工作狀態(tài)的 VIN 電壓值 VSTART 和停止工作的 VIN 電壓值 VSTOP,具體的實現(xiàn)電路如下圖:
根據(jù)希望得到的啟動和停止的輸入電壓可以得到兩只電阻的計算公式:
EN 端最高可以承受 60V 的電壓,與 VIN 端的承受能力相同,因此可以在很寬的范圍內(nèi)對具體參數(shù)進行調(diào)節(jié)。應(yīng)用筆記 AN063 里就利用 EXCEL 設(shè)計工具對此進行了驗證,其結(jié)果表現(xiàn)得非常準(zhǔn)確。
軟啟動和追隨控制
采用 PSOP-8 封裝的 RTQ6363GSP 沒有可調(diào)的軟啟動端子,它的軟啟動時間是內(nèi)部固定的 2ms,這意味著在正常情況下的輸出電壓從額定值的 10% 上升到 90% 會經(jīng)歷 2ms 的時間。
RTQ6363GQW 采用 DFN-10L 封裝,這給它留出了保留 SS 軟啟動端子的空間。SS 內(nèi)部包含一個 1.7μA 的電流源 ISS,只要給它外接一只對地電容,ISS 即可對其進行充電。在上電過程中,當(dāng) SS 端電壓比 FB 端電壓高出 42mV 以后,轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)即可進入工作狀態(tài),這樣的設(shè)計可確保轉(zhuǎn)換器在遇到輸出端已經(jīng)存有一部分電能時不會在一開始即進入開關(guān)切換工作狀態(tài),從而保證其啟動過程是單調(diào)的上升過程,這種方法在很多規(guī)格書中都有一種描述叫做 Pre-bias start up,我把它翻譯為“預(yù)偏置的啟動過程”。
在 IC 工作的時候,F(xiàn)B 端看到的電壓是要與參考電壓 VREF 進行比較的,而 RTQ6363 的 VREF= 0.8V,如果這個 0.8V 的參考電壓直接進入誤差放大器參與誤差檢測,RTQ6363 的工作過程中便不會有軟啟動過程,其結(jié)果是會在啟動過程中出現(xiàn)較大的輸入電流,這對向其供電的電源會是一個很大的沖擊。為了實現(xiàn)軟啟動,這個參考電壓會先和 SS 端電壓 VSS 進行比較,當(dāng) VSS< VREF 時,真正成為誤差放大器輸入的便是 VSS,而 VSS 是從 0V 開始逐漸上升的,輸入電流就不會很大,很少有造成電流沖擊的機會。
假如我們將一個外部電壓源引入 SS 端,只要該電壓低于 VREF,它所起的作用便與上面說的軟啟動電壓相當(dāng)。如果該電壓源的電壓是變化的,轉(zhuǎn)換器的輸出電壓就會跟隨它而發(fā)生同樣的變化,這種作用就像追隨一樣,所以 SS 端有另外一個稱呼 TR,它取自英文單詞 Tracking,這種功能可以被使用在需要多組電源同步或按序啟動的應(yīng)用當(dāng)中。
在 RTQ6363 啟動過程中,使能端 EN、軟啟動端 SS 和輸出電壓 VOUT 之間有下圖所示的關(guān)系。當(dāng) VFB 達到 VREF 的 94% 時,PGOOD 內(nèi)部的開漏 MOSFET 會由導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為截止?fàn)顟B(tài),所以我們會看到 PGOOD 信號在輸出電壓上升到額定電壓的 94% 時轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖?,這是因為它已被電阻上拉至某個電壓源的結(jié)果。
按照 RTQ6363 規(guī)格書的定義,它的輸出電壓從額定電壓的 10% 上升到 90% 需要的時間被稱為軟啟動時間,其計算公式為:
其中的 CSS/TR 是 SS/TR 端外接的軟啟動電容的容量。
假如 RTQ6363 遇到了負(fù)載太重和輸出電容太大的狀況,即使軟啟動過程已經(jīng)結(jié)束了,它的輸出電壓也無法達到額定的電壓,這樣就可能會進入輸出電壓欠壓保護狀態(tài)。所以,CSS/TR 應(yīng)該足夠大,以便確保軟啟動過程結(jié)束時 COUT 已經(jīng)被完全充滿了電,滿足這個要求的軟啟動電容值計算公式如下:
其中的 ICOUT_CHG 是對 COUT 進行充電的電流,它與工作頻率、電感量、上橋開關(guān)的峰值電流限制值及負(fù)載電流有關(guān)。通過一個軟啟動過程對輸出電壓進行提升的過程都會遇到器件參數(shù)的極限值,說明軟啟動并不意味著就是在以比較微弱的方式發(fā)力對輸出電壓進行提升,它們也很可能是用了很大的力的,具體的狀況是與許多因素有關(guān)的,其重點在于軟啟動過程降低了對輸出電壓提升速度的要求,這就相應(yīng)地降低了器件們需要努力工作的強度,是一種以時間換空間的戰(zhàn)術(shù),使得系統(tǒng)有足夠的能力去輕松提升輸出電壓。
輸出欠壓保護
過載和輸出短路都會造成輸出電壓的降低,RTQ6363 需要持續(xù)監(jiān)測輸出電壓的反饋信號 VFB 來實施輸出欠壓保護。為了避免和軟啟動過程產(chǎn)生沖突,這項工作會在 VSS/TR 超過 1.2V 以后開始進行,若發(fā)現(xiàn) VFB 低于欠壓保護閾值( 0.5 x VREF,典型值),欠壓比較器的輸出就變?yōu)楦唠娖?,這就意味著進入輸出欠壓保護狀態(tài)了,此后的上橋開關(guān)就會進入截止?fàn)顟B(tài),輸出端不能得到能量補充,輸出電壓就只有下降的機會而不可能再上升。
在輸出欠壓保護狀態(tài)下,SS/TR 端內(nèi)部一個電流源 ISS_DIS( = 0.5μA ) 會對 CSS/TR 進行放電操作。當(dāng) SS/TR 端電壓被放電到 54mV 時,RTQ6363 便會開始一次新的軟啟動過程,前述的電流源 ISS 會開始對 CSS/TR 進行充電操作。
VSS/TR 從 1.2V 降低到 54mV 的時間長度可用下述公式進行計算:
這個計算所得到的時間長度是軟啟動過程結(jié)束時便發(fā)生輸出欠壓保護到重新開始嘗試軟啟動需要經(jīng)歷的時間,這段時間是幾乎不會有輸入端能量消耗的階段。
在正常情況下的 RTQ6363 會將 CSS/TR 充電到多高的電壓呢?規(guī)格書沒有給出指標(biāo),但我們可以從規(guī)格書中的波形圖里觀察到這個數(shù)據(jù)是超過 5V 的,由此數(shù)據(jù)可以推知:如果過載和短路的發(fā)生是在正常工作期間發(fā)生的,從事件的發(fā)生導(dǎo)致發(fā)生輸出欠壓保護到再次重啟動的時間是很長的,因為軟啟動電容的放電需要很長時間,其數(shù)值至少有
如果過載和短路發(fā)生在軟啟動結(jié)束后 VSS/TR 還沒有上升到最高電壓 5V 的這一段時間內(nèi),此時便有 1.2V < VSS/TS < 5V,相應(yīng)的軟起動電容放電時間便會處于上述兩個公式的計算值之間。規(guī)格書中提供的一個波形圖(見下圖)里顯示的輸出短路發(fā)生在軟起動結(jié)束以后的正常工作時間里,VSS/TR 是從高于 5V 的地方開始被放電的,于是便可看到 RTQ6363 在很長的一段時間都處于靜默狀態(tài),此后才開始嘗試著軟啟動,并且反復(fù)進行著靜默、啟動、靜默、啟動的過程,直至輸出短路的狀況被撤除以后才能恢復(fù)正常狀態(tài)。
在輸出欠壓保護發(fā)生的情況下,RTQ6363 僅在嘗試軟起動的時間段內(nèi)才會消耗能量,對 CSS/TR 進行放電的時間段里消耗的能量是很少的,這就避免了過載和短路可能造成的風(fēng)險,而它的這種反復(fù)嘗試啟動的保護模式也被稱為打嗝模式,因為其表現(xiàn)與我們的打嗝實在是太像了。(未完待續(xù))
轉(zhuǎn)載自RichtekTechnology。