簡化低壓氮化鎵應(yīng)用，英諾賽科推出高集成小體積半橋氮化鎵功率芯片ISG3201

英諾賽科宣布推出SolidGaN系列100V半橋氮化鎵功率芯片新品ISG3201。內(nèi)部集成2顆100V/3.2mΩ增強(qiáng)型氮化鎵和1顆100V半橋驅(qū)動(dòng)，采用5mmx6.5mmx1.08mm LGA封裝，支持獨(dú)立的高低邊PWM信號(hào)輸入，可與絕大多數(shù)控制器匹配。是48V功率系統(tǒng)，48V無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，48V輕混汽車的理想選擇，如高性能大功率電源轉(zhuǎn)換、電動(dòng)工具、伺服電機(jī)、太陽能逆變器、雙向逆變器和D類功放等應(yīng)用。

英諾賽科ISG3201

英諾賽科 ISG3201 是一顆 100V 耐壓的半橋氮化鎵功率芯片，芯片內(nèi)部封裝兩顆耐壓 100V，導(dǎo)阻 3.2mΩ 的增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管以及 100V 半橋驅(qū)動(dòng)器。內(nèi)部集成的驅(qū)動(dòng)器省去了外部鉗位電路，能夠顯著降低關(guān)聯(lián)的寄生參數(shù)。半橋氮化鎵器件具備60A連續(xù)電流能力，無反向恢復(fù)電荷，并具有極低的導(dǎo)通電阻。

ISG3201 外圍元件非常精簡，芯片內(nèi)部集成了驅(qū)動(dòng)電阻、自舉電容和供電濾波電容。英諾賽科在這款芯片上采用固化驅(qū)動(dòng)形式，減少柵極和功率回路寄生電感，并簡化功率路徑設(shè)計(jì)。該芯片還具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè) PWM 信號(hào)輸入，并支持 TTL 電平驅(qū)動(dòng)，可由專用控制器或通用 MCU 進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。

通過顯微拍攝可清晰看到 ISG3201 的焊盤依次為 SW，PGND 和 VIN，獨(dú)特的焊盤設(shè)計(jì)縮小了功率路徑的環(huán)路面積，同時(shí)增大了散熱面積，有效降低器件運(yùn)行時(shí)的溫升。相比傳統(tǒng)分立的驅(qū)動(dòng)器+氮化鎵解決方案，電路設(shè)計(jì)更加簡化，PCB尺寸更小巧，可設(shè)計(jì)單面布板，寄生參數(shù)更小，系統(tǒng)性能更優(yōu)。

在應(yīng)用方面，英諾賽科 ISG3201 半橋氮化鎵功率芯片適用于高頻高功率密度降壓轉(zhuǎn)換器，半橋和全橋轉(zhuǎn)換器，D類功放，LLC 轉(zhuǎn)換器和功率模組應(yīng)用，可用于 AI，服務(wù)器，通信，數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場景。48V 工作電壓也滿足 USB PD 3.1 快充以及戶外電源相關(guān)應(yīng)用，通過集成的半橋器件，簡化功率組件的開發(fā)設(shè)計(jì)。 此前，英諾賽科推出適用于快充的All GaN PD3.1解決方案，使用了中、低壓氮化鎵單管取代傳統(tǒng)的硅MOS，大幅度降低電阻，減小驅(qū)動(dòng)損耗，并進(jìn)一步縮小封裝面積，大大提升了氮化鎵快充開關(guān)頻率，提高轉(zhuǎn)換效率和功率密度，為大功率氮化鎵快充提供體積更小巧，更高效的設(shè)計(jì)參考。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

半橋氮化鎵功率芯片通過將氮化鎵開關(guān)管和驅(qū)動(dòng)器集成，具有更小的封裝面積，更強(qiáng)的散熱性能和更高的功率密度，能夠滿足48V大功率系統(tǒng)的應(yīng)用，如高性能計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，太陽能逆變器，電機(jī)驅(qū)動(dòng)，數(shù)字音頻以及電動(dòng)汽車應(yīng)用。 ISG3201 簡化了低壓氮化鎵器件在48V以及更低電壓系統(tǒng)中的應(yīng)用，可以便捷搭配多種控制器，實(shí)現(xiàn)不同功能，提升效率。2023年英諾賽科還將相繼推出Solid GaN 系列的更多低壓氮化鎵功率芯片，以滿足更多市場應(yīng)用需求。

英諾賽科是全球領(lǐng)先的氮化鎵芯片研發(fā)與制造的IDM企業(yè)，擁有全球最大規(guī)模的8英寸硅基氮化鎵晶圓廠和先進(jìn)的氮化鎵制程工藝。目前英諾賽科已經(jīng)發(fā)布和銷售多款氮化鎵功率器件，覆蓋30V到700V電壓范圍，產(chǎn)品的各項(xiàng)性能指標(biāo)均達(dá)到國際先進(jìn)水平，已經(jīng)在快充、通信、LED、人工智能、自動(dòng)駕駛、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能等多個(gè)新興領(lǐng)域中得到應(yīng)用。