化學(xué)機(jī)械平面化 / 拋光 (CMP) 是在半導(dǎo)體芯片和電子器件的多級(jí)互連制造過(guò)程中使用的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)1,2。芯片制造中使用的許多工藝步驟都要求晶圓具有平整（光滑）表面，以確保在生成下一層結(jié)構(gòu)的光刻過(guò)程中曝光出正確的圖形。CMP 作為一項(xiàng)實(shí)現(xiàn)表面平坦的關(guān)鍵工藝，用來(lái)滿足精確焦深 (DOF) 和光刻要求，并進(jìn)一步精確支持后續(xù)構(gòu)建多級(jí)互連導(dǎo)線、高 k 替代金屬柵極晶體管、3D 堆疊芯片、3D NAND 存儲(chǔ)單元等的蝕刻步驟。