GaN打破壁壘—RF功率放大器的帶寬越來越寬、 功率越來越高
[摘要]

電信行業(yè)不斷需要更高的數(shù)據(jù)速率,工業(yè)系統(tǒng)不斷需要更高的分辨率,這助推了滿足這些需求的電子設(shè)備工作頻率的不斷上升。許多系統(tǒng)可以在較寬的頻譜中工作,新設(shè)計通常也會有進(jìn)一步增加帶寬的要求。在許多這樣的系統(tǒng)中,人們傾向于使用一個涵蓋所有頻帶的信號鏈。半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步使高功率寬帶放大器功能突飛猛進(jìn)。GaN革命席卷了整個行業(yè),并且可以讓MMIC在幾十種帶寬下生成1 W以上的功率,因此,這個過去由行波管主導(dǎo)的領(lǐng)域已經(jīng)開始讓步于半導(dǎo)體設(shè)備。更短柵極長度的GaAs和GaN晶體管的出現(xiàn)以及電路設(shè)計技術(shù)的升級,衍生了一些可以輕松操作毫米波頻率的新設(shè)備,開啟了幾十年前難以想象的新應(yīng)用。本文將簡要描述支持這些發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)的狀態(tài)、實現(xiàn)最佳性能的電路設(shè)計考慮因素,還列舉了展現(xiàn)當(dāng)今技術(shù)的GaAs和GaN寬帶功率放大器(PA)。

資源類型:pdf
資源大?。?/span>651.3KB
所屬分類: