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GaN e-mode HEMT在無線動(dòng)力傳遞領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)

資源大小：1.21MB

[摘要] 便攜式設(shè)備的無線充電消除了對(duì)傳統(tǒng)適配器/充電器的需求，本文演示了氮化鎵（GaN）增強(qiáng)模式（e-mode）的優(yōu)勢(shì)，已針對(duì)無線技術(shù)提出了兩種功率放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中基于MOSFET的HEMT器件根據(jù)AirFuel聯(lián)盟的基準(zhǔn)規(guī)格進(jìn)行動(dòng)力傳輸。

CoolGaN的可靠性和資質(zhì)

資源大?。?.33MB

[摘要] 本文介紹了英飛凌用于成功認(rèn)證的四部分流程CoolGaN TM 600 V技術(shù)和產(chǎn)品。描述了關(guān)鍵的故障機(jī)制，以及實(shí)現(xiàn)故障的方法確保在各種應(yīng)用中提供安全可靠的操作。通過這種方法，避免了我們的客戶否則會(huì)遇到的許多風(fēng)險(xiǎn)，并找到了一條安全的道路

650V CoolSiC M1 SiC 溝槽式功率器件 IMW65R027M1H

資源大小：1.43MB

[摘要] 650V CoolSiC™基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術(shù)構(gòu)建。利用寬帶隙SiC材料的特性，650V CoolSiC™ MOSFET將碳化硅的強(qiáng)大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨(dú)特特性結(jié)合在一

650V CoolSiC M1 SiC 溝槽式功率器件 IMW65R107M1H

資源大小：1.42MB

[摘要] 650V CoolSiC™基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術(shù)構(gòu)建。利用寬帶隙SiC材料的特性，650V CoolSiC™ MOSFET將碳化硅的強(qiáng)大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨(dú)特特性結(jié)合在一

650V CoolSiC M1 SiC 溝槽式功率器件 IMZA65R027M1H

資源大小：1.44MB

[摘要] 650V CoolSiC™基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術(shù)構(gòu)建。利用寬帶隙SiC材料的特性，650V CoolSiC™ MOSFET將碳化硅的強(qiáng)大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨(dú)特特性結(jié)合在一