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[摘要] 充電器領(lǐng)域近期的發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步使工程師在日常生活中面臨新的挑戰(zhàn)。更高的效率、相同輸出功率下更小的占用空間或相同占用空間下更大的功率是當(dāng)代充電器設(shè)計(jì)中的主要挑戰(zhàn)之一。在本白皮書(shū)中，英飛凌為工程師提供了 USB-C PD 充電領(lǐng)域不同解決

英飛凌如何控制和保證SiC基功率半導(dǎo)體的可靠性

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[摘要] 英飛凌 CoolSiC™ 基于溝道的碳化硅功率MOSFET代表了功率轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)器件性能因數(shù)（FOM）值的顯著提高，具有優(yōu)異的系統(tǒng)性能。這在許多應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了更高的效率、功率密度和降低的系統(tǒng)成本。這項(xiàng)技術(shù)也可以被認(rèn)為是新的應(yīng)用程

高性能CoolSiC?MOSFET技術(shù)具有類似硅的可靠性

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[摘要] 先進(jìn)的設(shè)計(jì)活動(dòng)主要集中在比電阻領(lǐng)域，作為給定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而，必須在電阻和開(kāi)關(guān)損耗等主要性能指標(biāo)與實(shí)際電力電子設(shè)計(jì)相關(guān)的其他方面（如足夠的可靠性）之間找到適當(dāng)?shù)钠胶狻?

CoolSiC? MOSFET：功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的革命

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[摘要] 碳化硅（SiC）晶體管越來(lái)越多地應(yīng)用于功率變換器中，對(duì)其尺寸、重量和效率提出了更高的要求。碳化硅優(yōu)異的材料特性使快速開(kāi)關(guān)單極性器件的設(shè)計(jì)成為可能，而不是雙極性IGBT器件。因此，只有在低壓世界（<600 V）才有可能實(shí)現(xiàn)的解決方

5G通信開(kāi)關(guān)電源的主要要求和建議

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[摘要] 本文概述了現(xiàn)代通信開(kāi)關(guān)電源的主要要求，直接源自5G系統(tǒng)的主要趨勢(shì)。我們討論了CoolSiC™ MOSFET 650 V 技術(shù)為最新一代通信整流器帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)，它成功地滿足了高效率和高性能的所有關(guān)鍵設(shè)計(jì)要求。

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