歡迎進(jìn)入與非網(wǎng)英飛凌原廠資料專區(qū)。在這里你能領(lǐng)略到英飛凌公司的半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案為更美好的未來做出的貢獻(xiàn),以及使我們的世界變得更容易、更安全和更綠色的工業(yè)智能。

650V CoolSiC M1 SiC 溝槽式功率器件 IMZA65R048M1H
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[摘要] 650V CoolSiC™基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術(shù)構(gòu)建。利用寬帶隙SiC材料的特性,650V CoolSiC™ MOSFET將碳化硅的強(qiáng)大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨(dú)特特性結(jié)合在一
英飛凌如何控制和確保SiC基功率半導(dǎo)體的可靠性
資源大?。?.7MB
[摘要] 將SiC作為功率器件材料的成功因素之一是已具有采用硅中許多著名的器件概念和加工技術(shù)的基本知識(shí)。其中包括基本的器件設(shè)計(jì),例如垂直型肖特基二極管或垂直功率MOSFET(經(jīng)過在JFET和BJT上的一些繞道作為替代結(jié)構(gòu))。因此,許多用于驗(yàn)證硅
理解照明中的NFC編程
資源大?。?27.79KB
[摘要] 在LED市場中,越來越多的LED電源提供兩種新功能:近場通信(NFC)編程和恒定流明輸出(CLO)。 NFC編程功能旨在取代勞動(dòng)密集型“插入式電阻”電流設(shè)置方法,以提高整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的靈活性。 具有CLO功能的產(chǎn)品
電力電子設(shè)計(jì)中的模塊化方法
資源大?。?.24MB
[摘要] 你是否曾想過電路設(shè)計(jì)方案的模塊化構(gòu)想?構(gòu)建一個(gè)用于各種電源拓?fù)涞耐耆蓴U(kuò)展的測試平臺(tái),只要簡單的功率設(shè)置,就能夠快速測試新的功率器件,并且能反應(yīng)在新開發(fā)或修訂的現(xiàn)有電力系統(tǒng)中(例如三相電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器)。 英飛凌提供的模塊化設(shè)計(jì)思路以
Infineon公司介紹

 

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技??偛课挥?a target="_blank">德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動(dòng)性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。

英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動(dòng)性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號(hào)、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國加州苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C(jī)構(gòu)。

 

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