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650V CoolSiC M1 SiC 溝槽式功率器件 IMZA65R027M1H
資源大?。?.44MB
[摘要] 650V CoolSiC™基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術(shù)構(gòu)建。利用寬帶隙SiC材料的特性,650V CoolSiC™ MOSFET將碳化硅的強大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨特特性結(jié)合在一
650V CoolSiC M1 SiC 溝槽式功率器件 IMW65R048M1H
資源大小:1.43MB
[摘要] 650V CoolSiC™基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術(shù)構(gòu)建。利用寬帶隙SiC材料的特性,650V CoolSiC™ MOSFET將碳化硅的強大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨特特性結(jié)合在一
650V CoolSiC M1 SiC 溝槽式功率器件 IMW65R072M1H
資源大?。?.42MB
[摘要] 650V CoolSiC™基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術(shù)構(gòu)建。利用寬帶隙SiC材料的特性,650V CoolSiC™ MOSFET將碳化硅的強大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨特特性結(jié)合在一
650V CoolSiC M1 SiC 溝槽式功率器件 IMZA65R107M1H
資源大?。?.01MB
[摘要] 650V CoolSiC™基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術(shù)構(gòu)建。利用寬帶隙SiC材料的特性,650V CoolSiC™ MOSFET將碳化硅的強大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨特特性結(jié)合在一
650V CoolSiC M1 SiC 溝槽式功率器件 IMZA65R072M1H
資源大小:1.43MB
[摘要] 650V CoolSiC™基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術(shù)構(gòu)建。利用寬帶隙SiC材料的特性,650V CoolSiC™ MOSFET將碳化硅的強大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨特特性結(jié)合在一
Infineon公司介紹

 

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。

英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國加州苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C構(gòu)。

 

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