CoolSiC? MOSFET:功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的革命
[摘要]
碳化硅(SiC)晶體管越來越多地應(yīng)用于功率變換器中,對其尺寸、重量和效率提出了更高的要求。碳化硅優(yōu)異的材料特性使快速開關(guān)單極性器件的設(shè)計成為可能,而不是雙極性IGBT器件。因此,只有在低壓世界(<600 V)才有可能實現(xiàn)的解決方案,現(xiàn)在在更高的電壓下也有可能實現(xiàn)。其好處是更高的效率,更高的開關(guān)頻率,更好的散熱和節(jié)省空間,反過來也可以導(dǎo)致整體成本較低。
同時,MOSFET已被普遍接受為選擇的概念。起初,JFET結(jié)構(gòu)似乎是將性能和可靠性融合到SiC晶體管中的最終選擇。然而,隨著150mm晶圓技術(shù)的發(fā)展,基于溝道的sicmosfet也變得可行,因此,DMOS的性能或高可靠性的困境現(xiàn)在可以得到解決。
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Infineon公司介紹

 

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域--高能效、移動性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。

英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應(yīng)用提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質(zhì)量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領(lǐng)域掌握尖端技術(shù)。英飛凌的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國加州苗必達(dá)、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C構(gòu)。

 

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