[摘要]
碳化硅(SiC)晶體管越來越多地應(yīng)用于功率變換器中,對其尺寸、重量和效率提出了更高的要求。碳化硅優(yōu)異的材料特性使快速開關(guān)單極性器件的設(shè)計成為可能,而不是雙極性IGBT器件。因此,只有在低壓世界(<600 V)才有可能實現(xiàn)的解決方案,現(xiàn)在在更高的電壓下也有可能實現(xiàn)。其好處是更高的效率,更高的開關(guān)頻率,更好的散熱和節(jié)省空間,反過來也可以導(dǎo)致整體成本較低。
同時,MOSFET已被普遍接受為選擇的概念。起初,JFET結(jié)構(gòu)似乎是將性能和可靠性融合到SiC晶體管中的最終選擇。然而,隨著150mm晶圓技術(shù)的發(fā)展,基于溝道的sicmosfet也變得可行,因此,DMOS的性能或高可靠性的困境現(xiàn)在可以得到解決。