650V CoolSiC M1 SiC 溝槽式功率器件 IMZA65R107M1H
[摘要]

650V CoolSiC™基于英飛凌20多年來開發(fā)的固態(tài)碳化硅技術構建。利用寬帶隙SiC材料的特性,650V CoolSiC™ MOSFET將碳化硅的強大物理特性與提高器件性能、可靠性和易用性的獨特特性結合在一起。CoolSiC™ M3 MOSFET基于先進的溝槽半導體工藝,經(jīng)過優(yōu)化可提供最低應用損耗和最高運行可靠性,適用于在高溫和惡劣環(huán)境中運行,能夠以最高的系統(tǒng)效率實現(xiàn)簡化和有效的部署。

資源類型:pdf
資源大小:1.01MB
所屬分類:白皮書
Infineon公司介紹

 

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技??偛课挥?a target="_blank">德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域--高能效、移動性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。

英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應用提供半導體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產(chǎn)品素以高可靠性、卓越質量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領域掌握尖端技術。英飛凌的業(yè)務遍及全球,在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。

 

Infineon官方微信

 

Infineon資源推薦