將SiC作為功率器件材料的成功因素之一是已具有采用硅中許多著名的器件概念和加工技術(shù)的基本知識(shí)。其中包括基本的器件設(shè)計(jì),例如垂直型肖特基二極管或垂直功率MOSFET(經(jīng)過(guò)在JFET和BJT上的一些繞道作為替代結(jié)構(gòu))。因此,許多用于驗(yàn)證硅器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定性的程序可以轉(zhuǎn)移到SiC。然而,更深入的分析表明,與基于Si器件相比,基于SiC的器件需要進(jìn)行其它不同的可靠性測(cè)試。下載此白皮書(shū)可獲取所需的主要步驟和教程,實(shí)現(xiàn)廠家成功制造量產(chǎn)高度可靠的SiC基產(chǎn)品。