產(chǎn)品特性
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靈活的邏輯架構(gòu)●6款從256到6864 LUT和從18到335I/O極低功耗產(chǎn)品●65nm低功耗工藝●低至19 µW的待機功耗 嵌入式和分布式內(nèi)存●高于240 Kbit的sysMEM™嵌入式BRAM●高于54Kbits的分布式RAM 片上用戶閃存●高于256Kbits的用戶閃存●100000寫周期 ●可以做為軟核PROM或者做為閃存使用 |
高性能、靈活的I/O緩沖器●可編程sysIO緩沖器支持寬泛●IO支持熱插拔 靈活的片上時鐘●八個主要時鐘●每個高速I/O接口邊緣最高兩個邊沿時鐘 非易失性、無限可重構(gòu)●瞬時上電只需微秒●通過JTAG、SPI、I2C可編程 寬泛的封裝選擇●TQFP封裝,WLCSP封裝,ucBGA等等●2.5x2.5mm小封裝 |
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產(chǎn)品概述
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相關(guān)框圖
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