為啥說PN結(jié)是基礎呢?
因為BJT是由PN結(jié)構成的,MOS管也是基于PN結(jié)的。
那PN結(jié)又是由什么構成的呢?
那什么又是P型半導體呢?什么叫N型半導體呢?
像純硅,稱之為本征半導體,但是本征半導體里的載流子太少,沒啥用。
想要增加載流子濃度,就要摻雜。
那什么叫摻雜呢?
硅最外層有四個電子,稱為價電子。當外層價電子數(shù)為8時,原子最穩(wěn)定。
本征半導體上,一個硅原子周圍有4個硅原子,這4個硅原子分別出一個價電子與中間的硅原子的4個價電子結(jié)合,形成共價健。這樣,對每個硅原子來說,就有8個價電子。
就像我有個女兒,我朋友有個兒子,我女兒認我朋友做干媽,我朋友兒子認我做干媽,這樣,我和我朋友就都既有女兒又有兒子了。
硅形成的本征半導體也一樣,我拿出一個價電子,你拿出一個價電子,這樣,我們就都有兩個價電子了。
外圍都有8個價電子,穩(wěn)定是穩(wěn)定了,但是也是板磚一塊,沒啥用啊。
摻雜,就是用價電子數(shù)比硅多的原子或價電子數(shù)比硅少的原子來取代其中的一些硅原子。讓自由載流子數(shù)多起來。
比如說P原子,有5個價電子。拿出4個,與周圍的4個硅原子共享后,還多一個電子。這個電子就成為自由電子。
再比如說B原子,有3個價電子。那個周圍的4個硅原子,只有3個形成共價鍵了,還有一個,只有孤零零的一個電子,旁邊空出來一個位置??昭ň彤a(chǎn)生了。
那PN結(jié)都有啥作用呢?
這就要看PN結(jié)處在什么狀態(tài)下了。一個PN結(jié),結(jié)的一頭是P型半導體,結(jié)的另一頭是N型半導體。P型的那頭,我們稱為陽極,N型的那頭,我們稱為陰極。
我們可以對PN結(jié)什么都不干,也可以給他施加正向電壓,也可以給他施加反向電壓。
那如果不對PN結(jié)做什么,它會發(fā)生什么呢?
當PN結(jié)外部沒有電壓時。表面看,好像什么都沒發(fā)生。但其實內(nèi)部也是風起云涌。
想知道內(nèi)部發(fā)生什么,我們又需要先了解載流子的兩種運動方式。
擴散運動是由濃度梯度引起的,就是說,載流子會自發(fā)的從高濃度地方向低濃度運動。
另一種,被稱之為飄移運動,對應形成的電流稱為飄移電流。
飄移運動是由電場引起的,載流子受到電場力的作用而運動。
外部無任何連接的PN結(jié),內(nèi)部主要是擴散電流。
N型半導體中,載流子主要是電子,電子多,空穴少。
P型半導體中,載流子主要是空穴,空穴多,電子少。
電子會想從N型半導體處,流向P型半導體處??昭▌t是想從P型半導體流向N型半導體。從而形成擴散電流。所謂空穴流動,其實也是電子的流動,因為空穴指的是電子流動出去,而形成的空的位置。
當電子從N型半導體流出時,就會留下陽離子;而空穴從P型半導體流出,則會留下負離子。
這些正負離子,分布在PN結(jié)附近的兩邊,形成耗盡區(qū)。之所以稱其耗盡區(qū),是因為在這區(qū)域,自由載流子都被耗盡了。
這個耗盡區(qū)則會產(chǎn)生電場,這個電場對載流子產(chǎn)生的力與載流子流動的方向相反,所以會阻礙擴散電流的形成。等兩者達到平衡時,則PN結(jié)則處于無電流流動的狀態(tài)。
那如果對PN結(jié)施加反向電壓呢,所謂反向電壓,即是在n端加正電壓,p端加負電壓。
因為外接電壓產(chǎn)生的電場與內(nèi)部PN結(jié)處的電場同向,所以會增強PN結(jié)處的內(nèi)電場。而內(nèi)電場的增強,則需要更多的正負離子形成。所以耗盡區(qū)會變寬。
如果將n端和p端,看成兩個平板,而中間的正離子和負離子,則可看做平板上的電荷。此時,PN結(jié)近似于一個電容。
耗盡區(qū)增寬,可以看作兩平板之間的距離拉大,即電容容值變小。
所以嘍,當加反向電壓時,雖然增強的電場會阻礙擴散電流的流動,但是它確提供了一個重要的功能。
那就是,當反向電壓變化時,PN結(jié)呈現(xiàn)出來的容值也變化,這個特性就相當于一個可調(diào)電容在手啊。
那如果PN結(jié)上施加正向電壓呢?
所謂正向電壓,就是p端加正電,n端加負電。
當施加正電壓時,外部電壓產(chǎn)生的電場會削弱內(nèi)部電場,進而使得擴散電流的阻力減小,所以會有更多的載流子的流動,進而產(chǎn)生大的擴散電流。
這時,兩端對應的多子的濃度變化相對不太明顯,但是少子的濃度則迅速增加。
PN結(jié)兩端的正向電壓與電流呈如下關系:
當施加在PN結(jié)兩端的正向電壓增加60mV時,電流增加10倍。